JAN2N2906AL参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N2906AL概述

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18 TO-206AA

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor

JAN2N2906AL中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N2906AL

型号： JAN2N2906AL

描述：PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N2906AL