JAN2N2906AUB参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N2906AUB概述

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 500mW Surface Mount UB

JAN2N2906AUB中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Pack

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： JAN2N2906AUB

描述：PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N2906AUB