JANTXV2N5415S

JANTXV2N5415S概述

PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

This family of 2N5415S and 2N5416S epitaxial planar transistors are military qualified up to a JANS level for high-reliability applications.  These devices are also available in the longer leaded TO-5 and low profile U4 and UA packaging.


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


JANTXV2N5415S中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N5415S
型号: JANTXV2N5415S
描述:PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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