JAN1N3999R

JAN1N3999R中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 10 W

稳压值 6.8 V

封装参数

封装 DO-4

外形尺寸

封装 DO-4

其他

产品生命周期 Obsolete

数据手册

在线购买JAN1N3999R
型号: JAN1N3999R
制造商: Microsemi 美高森美
描述:10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES
替代型号JAN1N3999R
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