JAN2N6766

JAN2N6766概述

每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

This family of 2N6764, 2N6766, 2N6768 and 2N6770 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.  These devices are also available in a thru hole TO-254AA leaded package.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

JAN2N6766中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 4W Ta, 150W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 30A

耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N6766
型号: JAN2N6766
描述:每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543
替代型号JAN2N6766
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