JANTX2N3507L

JANTX2N3507L概述

TO-5 NPN 50V 3A

This family of 2N3506L through 2N3507AL high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.  These devices are also available in TO-5 and low profile U4 packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag


JANTX2N3507L中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 30 @1.5A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTX2N3507L
型号: JANTX2N3507L
描述:TO-5 NPN 50V 3A
替代型号JANTX2N3507L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTX2N3507L

Microsemi 美高森美

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JAN2N3507

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完全替代

JANTX2N3507L和JAN2N3507的区别

2N3507A

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JANTX2N3507L和2N3507A的区别

JANTX2N3507A

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