JAN2N5664参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N5664概述

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/455

艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 5A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

Win Source:
TRANS NPN 200V 5A TO66

JAN2N5664中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 200 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 5V

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-213

外形尺寸

封装 TO-213

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： JAN2N5664

描述：NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

替代型号JAN2N5664