Trans Npn 80V 1A To39
Bipolar BJT Transistor NPN 80V 1A 1W Through Hole TO-39 TO-205AD
贸泽: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Win Source: TRANS NPN 80V 1A TO39
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 30 @250mA, 1V
额定功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
数据手册