JANSR2N7382

JANSR2N7382图片1
JANSR2N7382中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-257

外形尺寸

封装 TO-257

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JANSR2N7382
型号: JANSR2N7382
制造商: Microsemi 美高森美
描述:Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3Pin3+Tab TO-257AA
替代型号JANSR2N7382
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