JANSF2N2222A参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANSF2N2222A概述

BJT BiPolar Junction Transistor

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18

JANSF2N2222A中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： JANSF2N2222A

描述：BJT BiPolar Junction Transistor

替代型号JANSF2N2222A