KSD1616GBU概述
Trans GP BJT NPN 50V 1A 3Pin TO-92 Bulk
• Complement to KSB1116/1116A
得捷:
TRANS NPN 50V 1A TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TO-92 Bulk
KSD1616GBU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 0.75 W
增益频宽积 160 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 750 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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