KST10MTF

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KST10MTF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST10MTF  晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 350 mW, 60 hFE

The is a NPN epitaxial Silicon Transistor designed for use with VHF/UHF amplifiers.

.
30V Collector-base voltage
.
25V Collector-emitter voltage
.
3V Emitter-base voltage

得捷:
RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST


欧时:
### 射频双极晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST10MTF  晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 350 mW, 60 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
NPN 350 mW 25 V 650 MHz 表面贴装 外延硅 晶体管 - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 25V 350mW 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST10MTF  Bipolar - RF Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 350 mW, 60 hFE


Win Source:
TRANS NPN 25V 350MW SOT23


DeviceMart:
TRANS NPN 25V 350MW SOT23


KST10MTF中文资料参数规格
技术参数

频率 650 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 4 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 350 mW

增益频宽积 650 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 0.35 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KST10MTF
型号: KST10MTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST10MTF  晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 350 mW, 60 hFE
替代型号KST10MTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KST10MTF

Fairchild 飞兆/仙童

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