KSC900LTA

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KSC900LTA中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

集电极击穿电压 30.0 V

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 350 @500µA, 3V

最大电流放大倍数hFE 1000

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.93 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSC900LTA
型号: KSC900LTA
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor
替代型号KSC900LTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSC900LTA

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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