NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 160V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 80~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V • Collector Power Dissipation: PC max=350mW 描述与应用| 放大器 •集电极 - 发射极电压VCEO=160V •集电极耗散功率:PC(最大值)=350MW
频率 300 MHz
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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KST5551MTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT5551 飞兆/仙童 | 类似代替 | KST5551MTF和MMBT5551的区别 |
MMBT5551LT1G 安森美 | 功能相似 | KST5551MTF和MMBT5551LT1G的区别 |
MMBT5551LT3G 安森美 | 功能相似 | KST5551MTF和MMBT5551LT3G的区别 |