NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 20mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 600MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 90~180 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| High Frequency Amplifier Very small size to assure good space factor in Hybrid IC applications fT=600MHz TYP at IC=1mA Cob=1pF TYP at VCB=6V NF=3dB TYP at f=100MHz 描述与应用| 高频率放大器 非常小的尺寸，以保证良好的空间因素在混合集成电路应用
额定电压DC 20.0 V
额定电流 20.0 mA
极性 NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 600 MHz
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 0.02A
最小电流放大倍数hFE 90 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
