KSP10BU中文资料参数规格
技术参数
频率 650 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSP10BU
型号： KSP10BU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSP10BU 晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 1 W, 60 hFE
替代型号KSP10BU
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSP10BU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSH10G 安森美 | 功能相似 | KSP10BU和MPSH10G的区别 |