NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 600MA/0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 250MHZ 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 40~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.75V 耗散功率PcPower Dissipation | 350MW/0.35W Description & Applications | Switching Transistor. NPN Epitaxial Silicon Transistor. 描述与应用 | 开关。 NPN外延硅晶体管。
频率 250 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 0.35 W
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
KST4401MTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT4401K 飞兆/仙童 | 完全替代 | KST4401MTF和MMBT4401K的区别 |
MMBT4401_D87Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | KST4401MTF和MMBT4401_D87Z的区别 |
MMBT4401 飞兆/仙童 | 类似代替 | KST4401MTF和MMBT4401的区别 |