KSK30OBU

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KSK30OBU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 10.0 mA

极性 N-Channel

耗散功率 100 mW

漏源极电压Vds 50.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 mA

击穿电压 50 V

输入电容Ciss 8.2pF @0VVds

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSK30OBU
型号: KSK30OBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:JFET N-CH 50V 0.1W1/10W TO92

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