KSC1393RBU

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KSC1393RBU中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

增益 20dB ~ 24dB

最小电流放大倍数hFE 40

最大电流放大倍数hFE 180

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSC1393RBU
型号: KSC1393RBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:射频RF双极晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

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