KSP42BU

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KSP42BU概述

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

High Voltage Transistor

• Collector-Emitter Voltage: VCEO=KSP42: 300V

                                             KSP43: 200V

• Collector Power Dissipation: PCmax=625mW


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial


艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


富昌:
KSP42 Series 300 V 625 mW Through Hole High Voltage Transistor - TO-92-3


Verical:
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Win Source:
TRANS NPN 300V 0.5A TO-92


KSP42BU中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 300 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.93 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSP42BU
型号: KSP42BU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSP42BU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSP42BU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MPSA42

飞兆/仙童

完全替代

KSP42BU和MPSA42的区别

KSP42TA

飞兆/仙童

完全替代

KSP42BU和KSP42TA的区别

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