KSA733GBU

KSA733GBU图片1
KSA733GBU图片2
KSA733GBU图片3
KSA733GBU图片4
KSA733GBU图片5
KSA733GBU图片6
KSA733GBU图片7
KSA733GBU图片8
KSA733GBU图片9
KSA733GBU图片10
KSA733GBU图片11
KSA733GBU概述

PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Low Frequency Amplifier

• Collector-Base Voltage : VCBO= -60V

• Complement to KSC945

• Suffix “-C” means Center Collector 1. Emitter 2. Collector 3. Base


得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A TO92-3


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Bulk


KSA733GBU中文资料参数规格
技术参数

频率 180 MHz

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -150 mA

极性 PNP

耗散功率 250 mW

增益频宽积 180 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 40

最大电流放大倍数hFE 700

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSA733GBU
型号: KSA733GBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSA733GBU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSA733GBU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

KSA733CGBU

飞兆/仙童

类似代替

KSA733GBU和KSA733CGBU的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台