FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST2907AMTF 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 350 mW, -600 mA, 50 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor General Purpose Transistor 描述与应用| PNP外延平面 通用晶体管
频率 200 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
KST2907AMTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT2907AK 飞兆/仙童 | 完全替代 | KST2907AMTF和MMBT2907AK的区别 |
MMBT2907ALT1G 安森美 | 功能相似 | KST2907AMTF和MMBT2907ALT1G的区别 |
MMBT2907A-7-F 美台 | 功能相似 | KST2907AMTF和MMBT2907A-7-F的区别 |