KSC2786OBU

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KSC2786OBU中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

增益 18dB ~ 22dB

最小电流放大倍数hFE 70 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 240

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 2.31 mm

高度 3.7 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSC2786OBU
型号: KSC2786OBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:射频RF双极晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

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