Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3Pin TO-92 Ammo
High Voltage Transistor
• Collector-Emitter Voltage: VCEO=KSP42: 300V
KSP43: 200V
• Collector Power Dissipation: PCmax=625mW
艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
安富利:
Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Win Source:
TRANS NPN 200V 0.5A TO-92
频率 50 MHz
额定电压DC 200 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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KSP43TA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSA43RLRAG 安森美 | 功能相似 | KSP43TA和MPSA43RLRAG的区别 |
MPSA43ZL1G 安森美 | 功能相似 | KSP43TA和MPSA43ZL1G的区别 |