KSC1008OBU

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KSC1008OBU概述

NPN 晶体管,高达 1A,Fairchild Semiconductor 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Features

• Low frequency amplifier medium speed switching.

• High Collector-Base Voltage : VCBO=80V.

• Collector Current : IC=700mA

• Collector Power Dissipation : PC=800mW

• Suffix “-C” means Center Collector 1.Emitter 2.Collector 3.Base

• Non suffix “-C” means Side Collector 1.Emitter 2.Base 3.Collector

• Complement to KSA708


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


得捷:
TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Bulk


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Bulk


Win Source:
TRANS NPN 60V 0.7A TO-92


KSC1008OBU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 700 mA

极性 NPN

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.7A

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSC1008OBU
型号: KSC1008OBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,高达 1A,Fairchild Semiconductor 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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