KST5179MTF概述
RF晶体管放大器NPN外延硅晶体管
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 20V
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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 12V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 50mA
截止频率fTTranstion FrequencyfT| 900MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 25
管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V
耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W
Description & Applications| RF Amplifier Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor
描述与应用| RF放大器 NPN外延硅晶体管
KST5179MTF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 50.0 mA
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 15 dB
最小电流放大倍数hFE 25 @3mA, 1V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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