KSC3265YMTF

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KSC3265YMTF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC3265YMTF  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 120 MHz, 200 mW, 800 mA, 160 hFE

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor offers 30V collector base voltage and 800mA collector current. It is suitable for low frequency amplifier applications.

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Complement to KSA1298

欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
KSC3265系列 25 V CE击穿 0.8 A NPN 外延硅 晶体管 - SOT-23


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC3265YMTF  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 25 V, 120 MHz, 200 mW, 800 mA, 160 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 25V 800MA SOT-23


Win Source:
TRANS NPN 25V 0.8A SOT-23


KSC3265YMTF中文资料参数规格
技术参数

频率 120 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 800 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 160

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.97 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSC3265YMTF
型号: KSC3265YMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC3265YMTF  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 120 MHz, 200 mW, 800 mA, 160 hFE
替代型号KSC3265YMTF
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