Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3Pin TO-92 Ammo
Bipolar BJT Transistor PNP 60V 500mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 60V 0.5A TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
艾睿:
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安富利:
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Chip1Stop:
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Verical:
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频率 50 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-92-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSP55TA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N3415 飞兆/仙童 | 类似代替 | KSP55TA和2N3415的区别 |
NTE290A NTE Electronics | 功能相似 | KSP55TA和NTE290A的区别 |
KSP06TA 安森美 | 功能相似 | KSP55TA和KSP06TA的区别 |