KSA1015GRTA

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KSA1015GRTA概述

PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor offers -50V low base voltage VCBO and -150mA collector current.

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Low frequency amplifier
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Complementary to KSC1815

得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A TO92-3


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Ammo


富昌:
KSA1015 系列 50 V 150 mA 通孔 PNP 外延硅晶体管-TO-92-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Ammo


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSA1015GRTA  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -50 V, 80 MHz, 400 mW, -150 mA, 200


Win Source:
TRANS PNP 50V 0.15A TO-92


KSA1015GRTA中文资料参数规格
技术参数

频率 80 MHz

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -150 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 400 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

额定功率Max 400 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSA1015GRTA
型号: KSA1015GRTA
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSA1015GRTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSA1015GRTA

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

2PA1015GR,126

恩智浦

功能相似

KSA1015GRTA和2PA1015GR,126的区别

KSA1015GRTA_NL

飞兆/仙童

功能相似

KSA1015GRTA和KSA1015GRTA_NL的区别

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