射频RF双极晶体管 NPN Epitaxial Sil
RF Transistor NPN 20V 20mA 600MHz 250mW Through Hole TO-92-3
得捷:
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans RF BJT NPN 20V 0.02A 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC 20.0 V
额定电流 20.0 mA
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 70 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 70 @1mA, 6V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99