KST43MTF NPN三极管 200V 500mA/0.5A 500MHz 40 500mV/0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 1E 高电压晶体管
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 200V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 200V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 500MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| High Voltage Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor 描述与应用| 高电压 NPN外延硅晶体管
频率 50 MHz
额定电压DC 200 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 350 mW
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KST43MTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT6429LT1G 安森美 | 功能相似 | KST43MTF和MMBT6429LT1G的区别 |
MMBT6429LT1 安森美 | 功能相似 | KST43MTF和MMBT6429LT1的区别 |