双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor
Bipolar BJT Transistor NPN 20 V 500 mA - 500 mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
额定电压DC 20.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSD261CGTA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSD261GTA 飞兆/仙童 | 类似代替 | KSD261CGTA和KSD261GTA的区别 |
KSD261CGTA_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | KSD261CGTA和KSD261CGTA_NL的区别 |