FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST2222AMTF 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 35 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 75V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 1V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| NPN Epitaxial Silicon Transistor General Purpose Transistor 描述与应用| NPN外延硅 通用晶体管
频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 35
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KST2222AMTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT2222A 飞兆/仙童 | 类似代替 | KST2222AMTF和MMBT2222A的区别 |
MMBT2222AK 飞兆/仙童 | 类似代替 | KST2222AMTF和MMBT2222AK的区别 |