KSA992FBU

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KSA992FBU概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSA992FBU  单晶体管 双极, PNP, -120 V, 100 MHz, 500 mW, -50 mA, 430 hFE

The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor offers -120V collector base voltage and -50mA collector current. It is suitable for audio frequency low-noise amplifier applications.

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Complement to KSC1845

得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk


安富利:
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk


富昌:
KSA992 系列 120 V 50 mA 通孔 PNP 外延硅晶体管 -TO-92-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSA992FBU  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -120 V, 100 MHz, 500 mW, -50 mA, 430 hFE


KSA992FBU中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -120 V

额定电流 -50.0 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 6V

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 430

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSA992FBU
型号: KSA992FBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSA992FBU  单晶体管 双极, PNP, -120 V, 100 MHz, 500 mW, -50 mA, 430 hFE
替代型号KSA992FBU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSA992FBU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

KSA992FTA

飞兆/仙童

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KSA992FBU和KSA992FTA的区别

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