PNP外延硅晶体管驱动晶体管补充型KST06
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 50 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP Epitaxial Silicon Transistor Driver Transistor Complement to KST06 描述与应用| PNP外延硅 驱动晶体管 补充型KST06
频率 50 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KST56MTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA56LT1G 安森美 | 功能相似 | KST56MTF和MMBTA56LT1G的区别 |
MMBTA56-7-F 美台 | 功能相似 | KST56MTF和MMBTA56-7-F的区别 |
MMBTA56LT3G 安森美 | 功能相似 | KST56MTF和MMBTA56LT3G的区别 |