双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor
RF Transistor NPN 20V 30mA 850MHz 150mW Surface Mount SOT-23-3
得捷:
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor
艾睿:
Trans RF BJT NPN 20V 0.03A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANSISTOR NPN 20V 30MA SOT-23
额定电压DC 20.0 V
额定电流 30.0 mA
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
增益 15dB ~ 23dB
最小电流放大倍数hFE 120 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 240
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99