KST55MTF概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 500 mA 50MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
得捷:
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23
KST55MTF中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KST55MTF