NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Amplifier Transistor
• Collector-Emitter Voltage: VCEO = KSP05: 60V
KSP06: 80V
• Collector Dissipation: PC max=625mW
• Complement to KSP55/56
得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
频率 100 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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KSP06TA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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