KSC945CGBU

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KSC945CGBU概述

NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor offers 60V collector base voltage and 150mA collector current. It is suitable for audio frequency amplifier and high-frequency OSC applications.

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Complement to KSA733
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High current gain bandwidth product

得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A TO92-3


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Bulk


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Bulk


富昌:
NPN/50V/150mA


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC945CGBU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 300 MHz, 250 mW, 150 mA, 200 hFE


KSC945CGBU中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 150 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 6V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSC945CGBU
型号: KSC945CGBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSC945CGBU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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KSC945CGTA

飞兆/仙童

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KSC945CGBU和KSC945CGTA的区别

KSC945GBU

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KSC945CGBU和KSC945GBU的区别

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