KSA708CYTA

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KSA708CYTA概述

PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 700mA 50MHz 800mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 60V 0.7A TO92-3


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Ammo


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Ammo


富昌:
KSA708 Series 60 V 700 mA 800 mW PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Ammo


Win Source:
TRANS PNP 60V 0.7A TO-92


KSA708CYTA中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -700 mA

极性 PNP

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.7A

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSA708CYTA
型号: KSA708CYTA
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号KSA708CYTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSA708CYTA

Fairchild 飞兆/仙童

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