KSP45TA

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KSP45TA概述

NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

Bipolar BJT Transistor NPN 350 V 300 mA 625 mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS NPN 350V 0.3A TO92-3


艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo


安富利:
Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo


Win Source:
TRANS NPN 350V 0.3A TO-92


KSP45TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 300 mA

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 10V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSP45TA
型号: KSP45TA
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
替代型号KSP45TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KSP45TA

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

KSP45TA_NL

飞兆/仙童

功能相似

KSP45TA和KSP45TA_NL的区别

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