FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSD1616AGBU 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200 hFE
The is a 60V NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for audio frequency power amplifier and medium speed switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-92 Bulk
安富利:
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Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSD1616AGBU Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200 hFE
Win Source:
TRANS NPN 60V 1A TO-92
频率 160 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 750 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
额定功率Max 750 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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KSD1616AGBU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSD1616AGTA 飞兆/仙童 | 类似代替 | KSD1616AGBU和KSD1616AGTA的区别 |