KSC900GTA概述
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3Pin TO-92 Ammo
Bipolar BJT Transistor NPN 25 V 50 mA 100MHz 250 mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 25V 50MA TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Ammo
KSC900GTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 250 mW
增益频宽积 100 MHz
集电极击穿电压 30.0 V
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 200 @500µA, 3V
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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