KSP25TA概述
达林顿晶体管 Darlington Transistor
Darlington Transistor
• Collector-Emitter Voltage: VCES=KSP25: 40V
KSP26: 50V
KSP27: 60V
• Collector Power Dissipation: PC max =625mW
贸泽:
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
艾睿:
Trans Darlington NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
KSP25TA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSP25TA