NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon Transistor
Features
• Low frequency amplifier medium speed switching.
• High Collector-Base Voltage : VCBO=80V.
• Collector Current : IC=700mA
• Collector Power Dissipation : PC=800mW
• Suffix “-C” means Center Collector 1.Emitter 2.Collector 3.Base
• Non suffix “-C” means Side Collector 1.Emitter 2.Base 3.Collector
• Complement to KSA708
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC 60.0 V
额定电流 700 mA
极性 NPN
耗散功率 0.8 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 200 @50mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99