KSC1675CRBU概述
射频RF双极晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial
FM/AM RF AMP, MIX, CONV,OSC,IF
• Collector-Base Voltage : VCEO=30V
• High Current Gain Bandwidth Product : fT=300MHz TYP.
• Low Collector Capacitance : COB=2.0pF TYP.
• Suffix “-C” means Center Collector 1. Emitter 2. Collector 3. Base
贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
KSC1675CRBU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 40 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 40 @1mA, 6V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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