KSA1175GTA参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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KSA1175GTA图片2

KSA1175GTA图片3

KSA1175GTA中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 700

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 2.31 mm

高度 3.7 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSA1175GTA

型号： KSA1175GTA

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Transistor

替代型号KSA1175GTA

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
KSA1175GTA Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
KSA1175GBU 飞兆/仙童	类似代替	KSA1175GTA和KSA1175GBU的区别
KSA733G 飞兆/仙童	功能相似	KSA1175GTA和KSA733G的区别
2SA733G-P-AE3-R 友顺	功能相似	KSA1175GTA和2SA733G-P-AE3-R的区别