KSA1013OBU概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar BJT Transistor PNP 160 V 1 A 50MHz 900 mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 160V 1A TO92-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT PNP 160V 1A 3-Pin TO-92L Bulk
Verical:
Trans GP BJT PNP 160V 1A 3-Pin TO-92L Bulk
Win Source:
TRANS PNP 160V 1A TO-92L
KSA1013OBU中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC -160 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 900 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @200mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 320
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 8 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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