KSP63BU

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KSP63BU中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSP63BU
型号: KSP63BU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington
替代型号KSP63BU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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