KST4123MTF

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KST4123MTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 200 mA

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 50

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KST4123MTF
型号: KST4123MTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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